薄膜电晶体及其制造方法;THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME

摘要

本发明系关于一种薄膜电晶体及其制造方法。薄膜电晶体包含一基板、一双通道半导体层、一半导体保护层、一闸极、一闸极介电层、一源极、及一汲极。该双通道半导体层包含一第一半导体层及一第二半导体层。第一半导体层由一金属氧化物半导体材料所制成，并形成于基板之上方。第二半导体层由该金属氧化物半导体材料掺杂一吸氧金属所制成，并形成于第一半导体层上。半导体保护层形成于第二半导体层上。闸极形成并位于基板之上方。闸极介电层形成于闸极与双通道半导体层间。源极及汲极邻近双通道半导体层，形成而位于基板上方，并与双通道半导体层电性连结。