METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROGRAM

摘要

본 발명은, 탄소가 고농도로 첨가된 박막을 높은 제어성으로 형성한다. 기판에 대하여 1 분자 중에 적어도 2개의 실리콘을 포함하고, 탄소 및 할로겐 원소를 포함해서 Si-C 결합을 갖는 원료 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 질소 및 산소 중 어느 하나인 소정 원소를 포함하는 개질 가스를 공급하는 공정을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 실리콘, 탄소 및 소정 원소를 포함하는 박막을 기판 위에 형성하는 공정을 갖는다.