发明名称 光子装置结构及制造方法
摘要
申请公布号 TWI499817 申请公布日期 2015.09.11
申请号 TW103105927 申请日期 2014.02.21
申请人 美光科技公司 发明人 珊得胡 高提杰;米迪 罗伊
分类号 G02B6/12;G02B6/136 主分类号 G02B6/12
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种形成一光子结构之方法,其包括:蚀刻一半导体基板以在该半导体基板之一凸缘部分下方产生一腔;及自该半导体基板之该凸缘部分形成一光子装置之一元件,其中该光子装置元件包括一波导核心;其中该形成该光子结构之方法进一步包括:用一包层材料填充该腔;及其中该腔具有一大致矩形的截面形状。
地址 美国