用于半导体装置的沟槽遮罩结构和方法

主权项

一种半导体装置结构，其包括：一半导体材料区，其具有一第一主表面；一第一沟槽结构，其在该半导体装置的一主动区中形成，其中该第一沟槽结构包括一第一沟槽、一第一控制电极和一第一遮罩电极；一控制垫，其形成为覆盖该第一主表面，并连接到该第一控制电极；以及一第二沟槽结构，其在该控制垫的至少一部分下的该半导体材料区中形成，其中该第二沟槽结构包括一第二沟槽、一绝缘层和一第二遮罩电极，且其中该第二遮罩电极和该第一遮罩电极电性地连接在一起，且其中该第二沟槽结构配置为一遮罩结构，以从该半导体材料区隔离该控制垫。