藉由利用正型光阻以双重图案化用于制造高密度柱结构之方法

主权项

一种制作一半导体装置之方法，其包括：在一下伏层上方形成一第一光阻层；将该第一光阻层图案化成一第一光阻图案，其中该第一光阻图案包括位于该下伏层上方之复数个间隔开的第一光阻特征；利用该第一光阻图案作为一遮罩来蚀刻该下伏层，以形成复数个第一间隔开之特征；移除该第一光阻图案；在该复数个第一间隔开之特征上方形成一第二光阻层；将该第二光阻层图案化成一第二光阻图案，其中该第二光阻图案包括覆盖该复数个第一间隔开之特征之边缘部分的复数个第二光阻特征；利用该第二光阻图案作为一遮罩，蚀刻该复数个第一间隔开之特征之所曝露部分，以保留该复数个第一间隔开之特征之复数个间隔开的边缘部分；及移除该第二光阻图案，其中：该下伏层包括位于一装置层上方之至少一个遮蔽层；该复数个第一间隔开之特征包括复数个间隔开之遮蔽特征；该复数个间隔开之边缘部分包括复数个间隔开之边缘遮蔽特征；且每一边缘遮蔽特征具有比每一相应遮蔽特征小之一大
小。