发明名称 用于降低离子植入系统中之微粒污染的方法和系统
摘要
申请公布号 TWI500065 申请公布日期 2015.09.11
申请号 TW100111467 申请日期 2011.04.01
申请人 艾克塞利斯科技公司 发明人 卡尔文 奈尔K;张锦程
分类号 H01J37/317 主分类号 H01J37/317
代理机构 代理人 阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种用于降低离子植入系统中之微粒污染的方法,该方法包含:提供一离子植入系统,该离子植入系统具有一离子源、一监别穿孔(resolving aperture),其位于接近一质量分析器之一出口、一减速抑制平板,其位于该监别穿孔之下行处、以及一终端站,其被组构成在一离子植入其内期间支承一工件;透过该离子源形成一离子束;施加一减速抑制电压至该减速抑制平板,从而选择性地自该离子束剥离电子并聚焦该离子束;在该终端站及一外部环境之间转移该工件;以及调变该减速抑制电压,基本上与该工件之该转移并行进行,从而扩张及收缩该离子束之一高度及/或宽度,其中该监别穿孔之一或多个表面被该扩张及收缩之离子束撞击,从而基本上减轻来自驻留于该一或多个表面上的先前沉积材料对工件之后续污染。
地址 美国