有機電子マトリクス材料のためのｐ−型ドーパントとしての金属錯体

摘要

本発明は、有機電子部品におけるマトリクス材料のためのｐ−型ドーパントとしての、二核又は多核の、Ｖｂ／ＶＩｂ／ＶＩＩｂ族、即ち第５〜７族、の金属錯体であって、少なくとも一つの下記構造（ａ）の配位子Ｌを含有する金属錯体に関する。【化１】（ａ）（式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、酸素、硫黄、セレン、ＮＨ又はＮＲ４（Ｒ４は、アルキル及びアリールを含んでなる群から選ばれ、Ｒ３と結合していてもよい。）であり；Ｒ３は、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロアルキル、アリール、アリーレン、ハロアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロヘテロアリール、アルケニル、ハロアルケニル、アルキニル、ハロアルキニル、ケトアリール、ハロケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロケトアルキル、ケトアルケニル又はハロケトアルケニルであって、適切な基における一つ以上の隣接していないＣＨ２基は、独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ０−、−ＳｉＲ０Ｒ００−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−ＳＯ２−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＣＹ１＝ＣＹ２又は−Ｃ≡Ｃ−によって、酸素及び／又は硫黄原子がお互いに直接結合しないように、置換されていてもよく、同様に、好ましくは１〜３０個の炭素原子を有するアリール又はヘテロアリールで置換されていてもよい（末端ＣＨ３基は、ＣＨ２−Ｈという意味で、ＣＨ２基と見做される。）。）【選択図】図４