| 摘要 |
シリコン・イオン注入中にビーム電流を改善するための、ドーパント・ガス組成と、そのシステム及び方法とが提供される。シリコン・イオン注入プロセスは、第１のシリコンベースの共同種及び第２の種を利用するステップを伴う。第２の種は、活性シリコン・イオン種の生成及び注入の期間中に利用されるイオン源の動作アーク電圧において、第１のシリコンベースの種のイオン化断面積よりも大きいイオン化断面積を有するように選択される。この活性シリコン・イオンは、もっぱらＳｉＦ４から生成されたビーム電流と比較したとき、イオン源の劣化を招くことなくビーム電流レベルを維持するか又は増加することによって特徴付けられる、改善されたビーム電流を生成する。 |
