| 摘要 |
<p>Halbleiterspeicherbauelement, gekennzeichnet durch:–ein Modussetzregister (115) zum Programmieren einer Verzögerungszeit ab dem Zeitpunkt der Eingabe eines Zeilenadressenübernahme(RAS)-Befehls bis zum Zeitpunkt der Eingabe eines Spaltenadressenübernahme(CAS)-Befehls und Bereitstellen einer Mehrzahl von Steuersignalen, von denen jeweils eines entsprechend der Verzögerungszeit aktiviert wird,–einen /CAS-Puffer zum Empfangen und Puffern eines vorgegebenen /CAS-Signals, das um eine vorgegebene Anzahl von Verzögerungstaktzyklen in Reaktion auf das Steuersignal verzögert wird,–einen /CS-Puffer (203) zum Empfangen und Puffern eines vorgegebenen /CS-Signals, das um die Anzahl an Verzögerungstaktzyklen in Reaktion auf das Steuersignal verzögert wird, und–einen /WE-Puffer (207) zum Empfangen und Puffern eines vorgegebenen /WE-Signals, das um die Anzahl an Verzögerungstaktzyklen in Reaktion auf das Steuersignal verzögert wird.</p> |
