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<p>제1 도전형의 기판을 포함하는 비-휘발성 메모리로서, 상기 기판은 제2 도전형의 제1 및 제2 이격 영역(spaced apart region)을 가지고, 상기 제1 이격 영역과 상기 제2 이격 영역 사이에 채널 영역을 갖는다. 폴리실리콘 금속 게이트 워드 라인은 채널 영역의 제1 부분 위에, 고 유전상수 유전층에 의해 채널 영역으로부터 이격되어 위치한다. 워드 라인의 금속 부분은 고 유전상수 유전층에 바로 인접해 있다. 폴리실리콘 플로팅 게이트는 워드 라인에 바로 인접하여 그 워드 라인으로부터 이격되어서, 채널 영역의 다른 부분의 위에, 그 채널 영역의 다른 부분과 절연되어 위치한다. 폴리실리콘 커플링 게이트는 플로팅 게이트의 위에, 그 플로팅 게이트로부터 절연되어 위치한다. 폴리실리콘 소거 게이트는 플로팅 게이트의 다른 측 상에, 그 플로팅 게이트로부터 절연되어 위치하고, 제2 영역의 위에, 그 제2 영역과 절연되어, 커플링 게이트의 다른 측에 바로 인접하되 그로부터 이격되게 위치한다.</p> |
