发明名称 |
一种改善漏极电流的薄膜晶体管 |
摘要 |
本发明提供一种改善漏极电流的薄膜晶体管,包括基板、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极及栅极,其特征在于:对所述有源层进行掺杂,掺杂层呈梯度状或掺杂浓度呈梯状。所述掺杂层梯度从源极至漏极呈低至高。所述掺杂浓度的梯度从源极至漏极呈低至高。在有源层中掺杂具有一定梯度的材料,当源漏极加压的时候,由于靠近漏极的载流子较多,所以就会达到饱和区的漏极电流增大的效果。从而获得更高的开关电流比,元件的切换速度也会变得更快。 |
申请公布号 |
CN104900708A |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201510281308.2 |
申请日期 |
2015.05.28 |
申请人 |
福州大学 |
发明人 |
郭太良;叶芸;张永爱;汪江胜;康冬茹;林连秀 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
福州元创专利商标代理有限公司 35100 |
代理人 |
蔡学俊 |
主权项 |
一种改善漏极电流的薄膜晶体管,包括基板、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极及栅极,其特征在于:对所述有源层进行掺杂,掺杂层呈厚度梯度状或掺杂浓度呈梯状。 |
地址 |
350002 福建省福州市鼓楼区工业路523号 |