| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：步骤a)，提供半导体衬底，所述半导体衬底具有NMOS区和PMOS区，且在所述半导体衬底上形成有栅极结构；步骤b)，在所述半导体衬底上形成一光致抗蚀剂层，图形化所述光致抗蚀剂层以露出所述NMOS区；对所述NMOS区的源区和漏区实施第一LDD注入；步骤c)，在所述半导体衬底上再次形成一光致抗蚀剂层，图形化所述光致抗蚀剂层以仅露出所述NMOS区的源区；对所述NMOS区的源区实施第二LDD注入，其中，步骤b)和步骤c)的顺序可以互换。根据本发明，可以大幅降低外加源/漏电压时NMOS漏区所产生的最大电场强度，抑制热载流子注入效应的发生，从而使半导体器件保持良好的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103177941B | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201110428894.0 | 申请日期 | 2011.12.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 甘正浩;冯军宏 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/266(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：步骤a)，提供半导体衬底，所述半导体衬底具有NMOS区和PMOS区，且在所述半导体衬底上形成有栅极结构；步骤b)，在所述半导体衬底上形成一光致抗蚀剂层，图形化所述光致抗蚀剂层以露出所述NMOS区；对所述NMOS区的源区和漏区实施第一LDD注入；步骤c)，在所述半导体衬底上再次形成一光致抗蚀剂层，图形化所述光致抗蚀剂层以仅露出所述NMOS区的源区；对所述NMOS区的源区实施第二LDD注入，所述第二LDD注入的注入元素为砷，其中，步骤b)和步骤c)的顺序可以互换。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||