半导体装置及其制作方法

摘要

一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括：一基底；及一外延层，位于基底上方，其中外延层中包括沿一第一方向交替排列的多个第一沟槽和多个第二沟槽；其中各相邻的第一沟槽和第二沟槽间的外延层中包括一第一掺杂区和一第二掺杂区，第一掺杂区与第二掺杂区具有不同的导电型态，且第一掺杂区和第二掺杂区间的界面形成一超级结结构；及一栅极结构，位于外延层上方，其中栅极结构下方的外延层中包括沿一第二方向延伸的通道，其中第一方向与第二方向垂直。相较于现有技术，本发明可增加驱动电流导通截面积，改善驱动电流，降低导通电阻。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：一基底；及一外延层，位于该基底上方，其中该外延层中包括沿一第一方向交替排列的多个第一沟槽和多个第二沟槽；其中相邻的第一沟槽和第二沟槽间的该外延层中包括一第一掺杂区和一第二掺杂区，该第一掺杂区与该第二掺杂区具有不同的导电型态，且该第一掺杂区和该第二掺杂区间的界面形成一超级结结构；及一栅极结构，位于该外延层上方，其中该栅极结构下方的该外延层中包括沿一第二方向延伸的通道，其中该第一方向与该第二方向垂直。