| 发明名称 | 一种沟槽MOSFET终端结构和沟槽MOSFET器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽MOSFET终端结构，包括：一第一导电类型基片；一第一导电类型外延片层，其设于所述第一导电类型基片的一侧；若干第一分压区，其包括若干第一沟槽，所述第一沟槽的槽壁及槽底均淀积有一第一氧化物层，且所述第一沟槽内部设有多晶硅层，且所述多晶硅层淀积于所述第一沟槽的槽壁上，第一沟槽的两侧及下方在所述第一导电类型外延片中设有第二导电类型注入层；若干第二分压区，其包括若干第二沟槽，所述第二沟槽的槽壁及槽底均淀积有一第一氧化物层，且所述第二沟槽内淀积有多晶硅层。本发明还公开了一种沟槽MOSFET器件及其制备方法。本发明减少了芯片面积，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104900703A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510238897.6 | 申请日期 | 2015.05.12 |
| 申请人 | 上海格瑞宝电子有限公司 | 发明人 | 高盼盼;代萌 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人 | 宋义兴 |
| 主权项 | 一种沟槽MOSFET终端结构，其特征在于，包括：一第一导电类型基片；一第一导电类型外延片层，其设于所述第一导电类型基片的一侧；若干第一分压区，其包括若干第一沟槽，所述第一沟槽的槽壁及槽底均淀积有一第一氧化物层，且所述第一沟槽内部设有多晶硅层，且所述多晶硅层淀积于所述第一沟槽的槽壁上，第一沟槽的两侧及下方在所述第一导电类型外延片中设有第二导电类型注入层；若干第二分压区，其包括若干第二沟槽，所述第二沟槽的槽壁及槽底均淀积有一第一氧化物层，且所述第二沟槽内淀积有多晶硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区盛夏路560号905B室 | ||