| 发明名称 | EEPROM存储阵列及EEPROM | ||
| 摘要 | 一种EEPROM存储阵列及EEPROM，其中，所述EEPROM存储阵列包括：按照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的N条位线、M条控制栅线以及呈阵列排列的存储单元；所述存储单元包括：漏区、源区、浮栅以及控制栅；所述存储单元的漏区耦接于所述位线；所述存储单元的源区耦接于所述字线；所述存储单元的控制栅耦接于所述控制栅线；启用的存储单元的控制栅耦接于所述控制栅线结构中的控制栅线；未启用的所述存储单元的控制栅耦接于预设电压。通过所述EEPROM存储阵列和EEPROM，可以避免EEPROM存储器中未启用存储单元对正常存储单元的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN104900265A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510395734.9 | 申请日期 | 2015.07.07 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 杨光军 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 潘彦君;吴敏 |
| 主权项 | 一种EEPROM存储阵列，其特征在于，包括：按照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的N条位线、M条控制栅线以及呈阵列排列的存储单元；所述存储单元包括：漏区、源区、浮栅以及控制栅；所述存储单元的漏区耦接于所述位线；所述存储单元的源区耦接于所述字线；所述存储单元的控制栅耦接于所述控制栅线；启用的存储单元的控制栅耦接于所述控制栅线结构中的控制栅线；未启用的所述存储单元的控制栅耦接于预设电压。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||