发明名称 |
一种提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法及反相器 |
摘要 |
本申请公开了一种提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法,包括:s1、制备碳纳米管溶液;s2、对基底进行等离子刻蚀处理,使其改性并具有一定的浸润性;s3、通过打印方式将碳纳米管溶液定位于基底的沟道之间,得到性能均一的多个碳纳米管薄膜晶体管。本发明通过短时间的氧气等离子体刻蚀对基底表面进行处理,基底表面亲水化效果明显,具有很好的浸润性。在此基础上,构建的碳纳米管薄膜晶体管器件性能良好,可以在改性的基底上制作均一性较高的多个晶体管。其制备方法工艺简单、环境友好、操作方便、成本低廉,因此有望应用于大规模商业化生产高性能大面积印刷独立碳纳米管晶体管器件。 |
申请公布号 |
CN104900518A |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201410074627.1 |
申请日期 |
2014.03.03 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
赵建文;徐文亚;刘振;钱龙;崔铮 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 |
代理人 |
王锋 |
主权项 |
一种提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法,其特征在于,包括:s1、制备碳纳米管溶液;s2、对基底进行等离子刻蚀处理,使其改性并具有一定的浸润性;s3、通过打印方式将碳纳米管溶液定位于基底的沟道之间,得到性能均一的多个碳纳米管薄膜晶体管。 |
地址 |
215000 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |