| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，包括：具有表面且由SiC构成的半导体层；形成于所述半导体层的表层部的第一导电型的基体区域；隔着栅极绝缘膜而与所述基体区域对置的栅电极；形成于所述半导体层的表层部且形成所述半导体的所述表面的第二导电型的源极区域；形成于所述半导体层的所述表面上并与所述源极区域接触的源极配线；以覆盖所述栅电极的方式形成的绝缘膜；以及相对于所述基体区域而形成于所述半导体层的背面侧的第一导电型的漏极区域，所述源极配线具有多层构造，所述多层构造至少具有多晶硅层和金属层，且通过以使所述多晶硅层在所述半导体层的表面上与所述源极区域相接且不与所述漏极区域相接的方式依次层叠所述多晶硅层和所述金属层而得到。 | ||
| 申请公布号 | CN104900705A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510300343.4 | 申请日期 | 2009.12.25 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 中野佑纪 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 刘建 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其中，包括：具有表面且由SiC构成的半导体层；形成于所述半导体层的表层部的第一导电型的基体区域；隔着栅极绝缘膜而与所述基体区域对置的栅电极；形成于所述半导体层的表层部，且形成所述半导体的所述表面的第二导电型的源极区域；形成于所述半导体层的所述表面上，并与所述源极区域接触的源极配线；以覆盖所述栅电极的方式形成的绝缘膜；以及相对于所述基体区域而形成于所述半导体层的背面侧的第一导电型的漏极区域，所述源极配线具有多层构造，所述多层构造至少具有多晶硅层和金属层，且通过以使所述多晶硅层在所述半导体层的表面上与所述源极区域相接且不与所述漏极区域相接的方式依次层叠所述多晶硅层和所述金属层而得到。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||