横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括浅沟槽隔离结构和多晶硅栅极，多晶硅栅极部分覆盖于浅沟槽隔离结构上，浅沟槽隔离结构上开有凹槽，器件还包括与多晶硅栅极直接连接且填充入凹槽内的延伸部，延伸部的材质为半导体材料或金属材料。本发明还涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法。本发明覆盖在STI上方的多晶硅栅极延伸至STI内的凹槽，与漂移区silicon间有效距离变小、电容变大，即使有电荷被俘获在STI的边角，也会由于栅压的作用而减弱其对Idlin的影响，减小Idlin退化、提高器件的HCL寿命。器件在关态时，延伸部可增强漂移区耗尽，开态时栅压又能增强对STI旁边及被多晶硅覆盖的下方区域中N型杂质的积累，既能提高off-BV，又能降低Rdson。

主权项

一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括浅沟槽隔离结构和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极部分覆盖于浅沟槽隔离结构上，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构上开有凹槽，所述器件还包括与所述多晶硅栅极直接连接且填充入所述凹槽内的延伸部，所述延伸部的材质为半导体材料或金属材料。