一种高K金属栅极结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种高K金属栅极结构的制作方法，在制作金属栅极时，通过对NMOS或PMOS区域高K介质的TiN高应力保护层进行离子注入，以使该侧TiN保护层的高应力得到释放而转化为低应力，从而可在NMOS和PMOS上引入具有不同应力的TiN保护层，在提高NMOS或PMOS其中之一载流子迁移率的同时，又不会对另一器件的电性能带来不利影响。

主权项

一种高K金属栅极结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一形成有多晶硅伪栅极的CMOS结构，所述CMOS结构具有NMOS和PMOS区域，在所述CMOS结构上沉积一接触刻蚀阻挡层，然后，覆盖一层间介质隔离层；步骤S02：通过CMP平坦化至多晶硅露出；步骤S03：去除NMOS和PMOS区域的所述多晶硅伪栅极，形成栅极沟槽；步骤S04：依次沉积界面层、高K介质层和高压应力保护层；步骤S05：对NMOS区域的所述高压应力保护层进行离子注入，以使其应力得到释放；步骤S06：在栅极沟槽内淀积栅极金属，形成金属栅极。