| 发明名称 | 一种基于铋铜硒氧热电薄膜横向热电效应的光探测器 | ||
| 摘要 | 一种基于铋铜硒氧热电薄膜横向热电效应的光探测器，包括横向热电元件，在横向热电元件上表面设置两个对称的金属电极作为电压信号输出端，用电极引线将横向热电元件电压信号输出端与电压表输入端相连接，其特征在于：所述的横向热电元件包括氧化物单晶基片和在氧化物单晶基片上c轴倾斜生长的铋铜硒氧薄膜，所述的金属电极设置在铋铜硒氧薄膜的上表面。本发明的基于铋铜硒氧薄膜横向热电效应的光探测器不需要制冷，响应波段宽，探测灵敏度高，能同时实现光和热同时探测。 | ||
| 申请公布号 | CN104900670A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510262247.5 | 申请日期 | 2015.05.21 |
| 申请人 | 河北大学 | 发明人 | 王淑芳;吴晓琳;闫国英;王莲;王江龙;傅广生 |
| 分类号 | H01L27/16(2006.01)I;H01L35/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人 | 王琪 |
| 主权项 | 一种基于铋铜硒氧热电薄膜横向热电效应的光探测器，包括横向热电元件，在横向热电元件上表面设置两个对称的金属电极(4)作为电压信号输出端，用电极引线(5)将横向热电元件电压信号输出端与电压表输入端相连接，其特征在于：所述的横向热电元件包括氧化物单晶基片(1)和在氧化物单晶基片(1)上c轴倾斜生长的铋铜硒氧薄膜(2)，所述的金属电极(4)设置在铋铜硒氧薄膜(2)的上表面。 | ||
| 地址 | 071000 河北省保定市北市区五四东路180号河北大学 | ||