一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

摘要

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，可增大晶粒尺寸，减小晶界数量，降低漏电流，提高TFT电性能。该制备方法包括形成低温多晶硅有源层的步骤；衬底基板具有第一、第二区域；该步骤包括在衬底基板的第一、第二区域上形成缓冲层，缓冲层对应于第一区域的厚度大于对应于第二区域的厚度；或者，在衬底基板的第一区域上形成缓冲层；在缓冲层上形成非晶硅层；对非晶硅层进行激光晶化处理，使非晶硅层转化为多晶硅层；去除第二区域上的多晶硅层，在第一区域上形成低温多晶硅有源层。用于薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的阵列基板的制备。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底基板上形成低温多晶硅有源层的步骤；其中，所述衬底基板具有第一区域和第二区域；所述第一区域对应于待形成的低温多晶硅有源层的图案，所述第二区域至少位于待形成的低温多晶硅有源层的相对两侧；所述在衬底基板上形成低温多晶硅有源层的步骤包括：在所述衬底基板的第一区域和第二区域上形成缓冲层，所述缓冲层对应于第一区域的厚度大于对应于第二区域的厚度；或者，在所述衬底基板的第一区域上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行激光晶化处理，使所述非晶硅层转化为多晶硅层；去除所述第二区域上的所述多晶硅层，在所述第一区域上形成低温多晶硅有源层。