| 发明名称 | ZnTe单晶衬底 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光调制元件用的ZnTe单晶衬底，其特征在于，厚度为1mm以上，结晶内所含的析出物的大小为2μm以下，密度小于200cm<sup>-3</sup>，相对于波长700～1500nm的光线，透光率为50％以上，或者相对于波长900～1500nm的光线，透光率为60％以上，并且没有析出物的区域距离表面为0.9mm以上，其中所述ZnTe单晶衬底是通过熔融液生长法获得的。 | ||
| 申请公布号 | CN102352536B | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201110280113.8 | 申请日期 | 2006.07.18 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 朝日聪明;佐藤贤次;清水孝幸 |
| 分类号 | C30B29/48(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 孙秀武;高旭轶 |
| 主权项 | 一种光调制元件用的ZnTe单晶衬底，其特征在于，厚度为1mm以上4.0mm以下，结晶内所含的析出物的大小为2μm以下，密度小于200cm<sup>‑3</sup>，相对于波长700～1500nm的光线，透光率为50％以上，其中所述ZnTe单晶衬底的生长不使用外延生长技术。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||