| 摘要 |
<p>Eine Halbleitervorrichtung mit einem Feld aus Flashspeicherzellen umfassend: ein Halbleitersubstrat (40); eine wiederholte Zelle angeordnet in Spalten und Zeilen und umfassend Transistoren mit Floatinggates (62.1, 62.2); in jeder Zelle eine gemeinsame Source (22, 27) für angrenzende Transistoren; erste und zweite Floatinggates (62.1, 62.2) an gegenüberliegenden Seiten der gemeinsamen Source (22, 27); erste und zweite Drains (23, 28) an der anderen Seite der ersten und zweiten Floatinggates (62.1, 62.2); wobei die gemeinsamen Sourcen (22, 27) zusammen verbunden sind in einer vergrabenen Bitleitung (14, 42) in dem Substrat (40) und die Drains ausgerichtet miteinander sind und verbunden sind mit einer Metallkontaktschicht (50) angeordnet über dem Substrat (40) und ausgerichtet mit den Drains (23, 28), einen tiefen Graben (46.1) angeordnet zwischen angrenzenden Spalten zum Isolieren der Transistoren in jeder Spalte von den Transistoren in den angrenzenden Spalten, wobei der Graben (46.1) eine Tiefe hat im Bereich von 1,5 Mikrometer bis 3 Mikrometer, dadurch gekennzeichnet, dass jede gemeinsame Source (22, 27) eine Bodyanbindung (24) entgegengesetzter Polarität zu der Sourcepolarität hat, worin die Bodyanbindungen (24) selbstausgerichtet zu Spacern (91, 92) an den Gates (62.1, 62.2) der Transistoren sind.</p> |
