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<p>기입 데이터의 옵셋을 보상할 수 있는 양방향 저항성 메모리 장치 및 데이터 입력 방법이 개시된다. 양방향 저항성 메모리 장치는 가변저항 메모리 셀 어레이 및 입출력 회로를 포함한다. 입출력 회로는 정의 전압과 부의 전압을 발생시키고, 입력 데이터의 로직 상태에 응답하여 정의 전압 또는 부의 전압을 비트라인을 통해 가변저항 메모리 셀 어레이에 제공한다. 또한, 입출력 회로는 가변저항 메모리 셀 어레이에 기입된 데이터의 로직 값에 오프셋이 발생할 경우 정의 전압과 부의 전압의 크기를 조절한다. 따라서, 양방향 저항성 메모리 장치는 신뢰도가 높고 동작속도가 빠르다.</p> |
