| 发明名称 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质 | ||
| 摘要 | 提供一种得到良好的膜质的衬底处理装置。进行：原料气体供给工序，在将收容于处理室的衬底维持在第一温度的同时，向所述处理室供给原料气体；第一除去工序，向所述处理室供给以比所述第一温度高的第二温度加热的非活性气体，除去残留在所述处理室中的所述原料气体；反应气体供给工序，向所述处理室供给反应气体；以及第二除去工序，向所述处理室供给非活性气体，除去残留在所述处理室中的所述反应气体。 | ||
| 申请公布号 | CN104885201A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201380065771.2 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 大桥直史 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军;李文屿 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，进行如下工序：原料气体供给工序，在将收容于处理室的衬底维持在第一温度的同时，向所述处理室供给原料气体；第一除去工序，向所述处理室供给以比所述第一温度高的第二温度加热后的非活性气体，除去残留在所述处理室中的所述原料气体；反应气体供给工序，向所述处理室供给反应气体；以及第二除去工序，向所述处理室供给非活性气体，除去残留在所述处理室中的所述反应气体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||