发明名称 在非导电性的基底材料上制造导电结构的方法以及用于此的特定添加物和基底材料
摘要 本发明涉及在非导电性的基底材料上制造导电结构,特别是印刷电路的方法,所述基底材料包括具有至少一种金属化合物的添加物(1)。为此,使用激光来照射所述基底材料以选择性活化添加物(1)中所含的例如无机金属化合物。随后,金属化通过活化所形成的金属种晶以提供基底材料上的导电结构。由于在将添加物(1)引入基底材料之前该添加物具有全包围涂层,从而通过激光活化使添加物(1)被还原并所述涂层被氧化,因此借由涂层为与该添加物(1)进行所需的化学反应提供了必要的反应物。当与所述基底材料的相互作用因此被显著减少时,也同时解除了对特定塑料或塑料组的限制。
申请公布号 CN104884670A 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201380069097.5 申请日期 2013.12.06
申请人 LPKF激光电子股份公司 发明人 R.A.克鲁格;B.罗斯纳;W.约翰;A.施努尔;R.奥斯特霍尔特
分类号 C23C18/16(2006.01)I;C23C18/18(2006.01)I;C23C18/20(2006.01)I;H05K3/18(2006.01)I;C08K3/22(2006.01)I;C08K9/10(2006.01)I 主分类号 C23C18/16(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 金拟粲
主权项 在包括具有至少一种金属化合物的添加物(1)的非导电性的基底材料上制造导电结构,特别是印刷电路的方法,其中使用激光照射所述基底材料并由此选择性活化所述添加物(1)中包含的金属化合物,从而在如此激光活化的区域形成催化活性的种晶,随后金属化所述种晶,并由此提供所述非导电性基底材料上的导电结构,其特征在于,所述添加物(1)除通过所述金属化形成的第一区域(2)之外包括至少一具有不同化学组成的第二区域(3),并通过所述激光活化降低所述添加物(1)中的金属的氧化态。
地址 德国加尔布森
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