发明名称 |
磁记录介质及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供能以高吞吐量生产将磁各向异性大的L1<sub>0</sub>型的有序合金用于磁记录层、具有高矫顽力的磁记录介质的、磁记录介质及其制造方法。通过在用于提高包含具有L1<sub>0</sub>型结构的有序合金的磁记录层的结晶性的取向控制层的下层设置具有面心立方结构的金属基底层,从而即使在使该取向控制层薄膜化时也能够形成具有充分的矫顽力的磁记录层,能够使主要由氧化物构成的取向控制层薄膜化,因此能够提高吞吐量。 |
申请公布号 |
CN104885154A |
申请公布日期 |
2015.09.02 |
申请号 |
CN201380068621.7 |
申请日期 |
2013.12.18 |
申请人 |
佳能安内华股份有限公司 |
发明人 |
楢舘英知;佐藤晃央;芝本雅弘;山中和人 |
分类号 |
G11B5/66(2006.01)I;G11B5/84(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种磁记录介质,其特征在于,具备:金属基底层、形成在所述金属基底层上的取向控制层、以及形成在所述取向控制层上的包含具有L1<sub>0</sub>型结构的有序合金的磁记录层,所述金属基底层具有面心立方结构。 |
地址 |
日本神奈川县 |