| 发明名称 | 金属栅极的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有替代栅；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层表面与替代栅表面平齐；在介质层和替代栅表面形成氮化钛层；对所述氮化钛层进行氧化处理，在氮化钛层表面形成二氧化钛层；在二氧化钛层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有对应替代栅的第一开口；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀二氧化钛层和氮化钛层，形成暴露替代栅表面的第二开口；以所述图形化的光刻胶层和氮化钛层为掩膜，去除所述替代栅，形成凹槽，在凹槽内填充满金属，形成金属栅极。本发明实施例在光刻胶层中形成特征尺寸稳定的第一开口，方便光刻工艺阶段第一开口特征尺寸的控制。 | ||
| 申请公布号 | CN103187257B | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201110454121.X | 申请日期 | 2011.12.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李凤莲;韩秋华;倪景华 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有替代栅；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层表面与替代栅表面平齐；在介质层和替代栅表面形成氮化钛层；对所述氮化钛层进行氧化处理，在氮化钛层表面形成二氧化钛层；在二氧化钛层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有对应替代栅的第一开口；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀二氧化钛层和氮化钛层，形成暴露替代栅表面的第二开口；以所述图形化的光刻胶层和氮化钛层为掩膜，去除所述替代栅，形成凹槽，在凹槽内填充满金属，形成金属栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||