MOSFET终端结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种MOSFET终端结构及其制造方法，方法包括：S₁、在N型重掺杂单晶硅衬底上生长N型轻掺杂硅外延层，并在所述N型轻掺杂硅外延层上生长二氧化硅场氧化层；S₂、将若干场限环区域上方的二氧化硅场氧化层除去，形成若干场氧化层开口区；S₃、在若干场氧化层开口区中生长二氧化硅栅氧化层，并在二氧化硅场氧化层和二氧化硅栅氧化层上淀积多晶硅层；S₄、蚀刻多晶硅层，以形成若干多晶硅场板、若干耦合多晶硅条及若干连接多晶硅条；S₅、执行自对准P型杂质离子注入操作，并进行高温退火以形成若干场限环。本发明制造出的终端结构具有尺寸小和不受金属加工精度限制的优点。

主权项

一种MOSFET终端结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S₁、在N型重掺杂单晶硅衬底上生长N型轻掺杂硅外延层，并在所述N型轻掺杂硅外延层上生长二氧化硅场氧化层；S₂、采用光刻掩模和蚀刻技术将预设的若干场限环区域上方的二氧化硅场氧化层除去，并形成若干场氧化层开口区；S₃、在若干场氧化层开口区中生长二氧化硅栅氧化层，并在所述二氧化硅场氧化层上和所述二氧化硅栅氧化层上淀积多晶硅层；S₄、采用光刻掩模和蚀刻技术蚀刻多晶硅层，以形成若干多晶硅场板、若干耦合多晶硅条及若干连接多晶硅条；所述多晶硅场板设置于二氧化硅场氧化层上；所述耦合多晶硅条设置于场氧化层开口区中的二氧化硅栅氧化层上，并用于耦合场限环电势；所述耦合多晶硅条通过所述连接多晶硅条与所述多晶硅场板相连接；S₅、执行自对准P型杂质离子注入操作，并使得杂质穿过二氧化硅栅氧化层且不穿过多晶硅层和二氧化硅场氧化层，以形成若干场限环。