| 发明名称 | SOI晶圆的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，从由半导体单晶基板构成的接合晶圆的表面，将氢气及稀有气体中一种以上的气体离子进行离子注入，形成离子注入层，在将该接合晶圆的进行过离子注入的表面与基底晶圆表面通过氧化膜进行贴合后，用热处理炉进行剥离热处理，在所述离子注入层剥离接合晶圆，由此制作SOI晶圆，在该SOI晶圆的制造方法中，在所述剥离热处理后，在以低于3.0℃/min的降温速度降温至250℃以下后，将剥离后的SOI晶圆及接合晶圆从热处理炉中取出。由此，提供一种能够制造擦痕及SOI膜厚异常被抑制的SOI晶圆的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104885190A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201380064933.0 | 申请日期 | 2013.11.07 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 阿贺浩司;横川功;石塚徹 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 谢顺星;张晶 |
| 主权项 | 一种SOI晶圆的制造方法，其从由半导体单晶基板构成的接合晶圆的表面，将氢气及稀有气体中一种以上的气体离子进行离子注入来形成离子注入层，在将该接合晶圆的进行过离子注入的表面与基底晶圆表面通过氧化膜进行贴合后，用热处理炉进行剥离热处理，在所述离子注入层剥离接合晶圆，由此制作SOI晶圆，其特征在于，在所述剥离热处理后，在以低于3.0℃/min的降温速度降温至250℃以下后，将剥离后的SOI晶圆及接合晶圆从热处理炉中取出。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||