| 发明名称 | 一种LED外延片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种LED外延片及其制造方法，LED外延片的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上生长第一氮化镓层；在所述第一氮化镓层生长应力释放层；在所述应力释放层生长保护层，所述保护层晶格结构与第一氮化镓层一致；在所述保护层上生长第二氮化镓层，同时，所述应力释放层被分解形成晶格结构被破坏的应力释放层。晶格结构被破坏的应力释放层消除了所述保护层和第一氮化镓层的相互作用；所述保护层晶格结构与第一氮化镓层一致，为第二氮化镓层生长提供模板。因而第二氮化镓层能生长较厚的厚度，解决了现有的在硅衬底上生长氮化镓材料的方法无法有效消除氮化镓材料中形成裂纹的问题，提升了器件的性能和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103078025B | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201310030223.8 | 申请日期 | 2013.01.25 |
| 申请人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 | 发明人 | 朱学亮;于洪波 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种LED外延片的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上生长第一氮化镓层；在所述第一氮化镓层生长应力释放层；在所述应力释放层生长保护层，所述保护层晶格结构与第一氮化镓层一致；在所述保护层上生长第二氮化镓层，同时，所述应力释放层被分解形成晶格结构被破坏的应力释放层。 | ||
| 地址 | 201306 上海市浦东新区临港产业区鸿音路1889号 | ||