碳化硅离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法

摘要

本发明公开了碳化硅离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法，一种掩膜结构是在碳化硅外延片表面形成第一阻挡层二氧化硅（SiO₂），另外在非注入区的第一阻挡层上再形成第二阻挡层多晶硅（Poly-Si）。另一种掩膜结构是在碳化硅外延片表面形成第一阻挡层二氧化硅，另外在非注入区的第一阻挡层上再形成第二阻挡层多晶硅，在第二阻挡层上形成第三阻挡层二氧化硅。本发明掩膜结构及其制备方法能够解决离子注入SiC外延片后的箱型杂质浓度不均匀分布现象，同时能够减少高能离子注入SiC外延片带来的表面损伤。

主权项

碳化硅离子注入掺杂掩膜结构，其特征在于，包括：形成于SiC外延片（1）被注入区表面的第一阻挡层（2），避免高能离子注入所述SiC外延片（1）时直接轰击SiC外延片（1）的表面，并使表面掺杂浓度相对较低部分分布在所述第一阻挡层（2）中，使箱型杂质浓度均匀部分分布在所述SiC外延片（1）中；形成于所述SiC外延片（1）非注入区表面的第一阻挡层（2），以及形成于所述非注入区表面的第一阻挡层（2）之上的第二阻挡层（3），所述第二阻挡层（3）使注入离子停留在其内部，所述注入离子无法进入所述SiC外延片（1）的内部，实现选区掺杂。