发明名称 |
有机半导体膜及其制造方法、薄膜晶体管、有源矩阵装置、电光学装置及电子设备 |
摘要 |
本发明的有机半导体膜的制造方法的特征在于,具有以下工序:液状组合物施与工序,在基材上以规定的图案施与液状组合物,所述液状组合物是使有机半导体材料溶解或分散在第1溶剂中而成的;第2溶剂施与工序,在所述基材的被施与了所述液状组合物的区域施与第2溶剂,所述第2溶剂对所述有机半导体材料的溶解性比所述第1溶剂低;第2溶剂除去工序,将所述第2溶剂除去。 |
申请公布号 |
CN104882539A |
申请公布日期 |
2015.09.02 |
申请号 |
CN201510088686.9 |
申请日期 |
2015.02.26 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
守谷壮一 |
分类号 |
H01L51/00(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
段承恩;李照明 |
主权项 |
一种有机半导体膜的制造方法,其特征在于,具有以下工序:液状组合物施与工序,在基材上以规定的图案施与液状组合物,所述液状组合物是使有机半导体材料溶解或分散在第1溶剂中而成的,第2溶剂施与工序,在所述基材的被施与了所述液状组合物的区域施与第2溶剂,所述第2溶剂对所述有机半导体材料的溶解性比所述第1溶剂低,以及第2溶剂除去工序,将所述第2溶剂除去。 |
地址 |
日本东京都 |