| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供形成有前端器件及位于其上的介电层的晶片，在介电层上形成金属层，并在所述金属层上形成层间介电层；步骤S102：在所述层间介电层上形成用于刻蚀接触孔的掩膜层，通过刻蚀在所述层间介电层内形成接触孔；步骤S103：进行晶边刻蚀以去除所述金属层位于所述晶片的边缘的部分；步骤S104：对所述接触孔进行湿法清洗；步骤S105：在所述接触孔内形成接触孔粘结层以及金属插塞。该方法通过增加进行晶边刻蚀以去除位于所述晶片的边缘的金属层的步骤，可以避免在晶片边缘区域出现金属层剥离缺陷以及接触孔粘结层剥离缺陷，因而可以提高器件良率。 | ||
| 申请公布号 | CN104882407A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201410068196.8 | 申请日期 | 2014.02.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张城龙;何其暘;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;赵礼杰 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供形成有前端器件以及位于其上的介电层的晶片，在所述介电层上形成金属层，并在所述金属层上形成层间介电层；步骤S102：在所述层间介电层上形成用于刻蚀接触孔的掩膜层，通过刻蚀工艺在所述层间介电层内形成接触孔；步骤S103：进行晶边刻蚀以去除所述金属层位于所述晶片的边缘的部分；步骤S104：对所述接触孔进行湿法清洗；步骤S105：在所述接触孔内形成接触孔粘结层以及金属插塞。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||