| 发明名称 | 垂直磁化自旋磁性记忆体元件 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI498888 | 申请公布日期 | 2015.09.01 |
| 申请号 | TW101138726 | 申请日期 | 2012.10.19 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 沈桂弘;杨姗意 |
| 分类号 | G11C11/02;G11C11/16 | 主分类号 | G11C11/02 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种垂直磁化自旋磁性记忆体元件，包括：至少一复合层，各该复合层包括：一第一金属氧化物层；一第一铁磁层，位于该第一金属氧化物层上；一第二铁磁层，位于该第一铁磁层上；以及一第一修饰层，位于该第一铁磁层与该第二铁磁层之间，其中该第一铁磁层与该第二铁磁层中分别具有掺质，且该第一修饰层可以吸收部分该些掺质。 | ||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||