| 主权项 |
一种非挥发性记忆体(NVM)装置，包含：一第一半导体鳍片，具有一第一端和第二端，且沿着自该第一端到该第二端的第一方向延伸，该第一半导体鳍片包含：一源极区，系位于该第一端；一汲极区，系位于该第二端；以及一通道区，系延伸于该源极区和该汲极区之间；一第二半导体鳍片，实质上以平行于该第一半导体鳍片的方向作延伸，而且与第一半导体鳍片相隔(apart)，其中该第二半导体鳍片具有同型杂质；以及一浮动闸，形成于该第一半导体鳍片和该第二半导体鳍片的上方，且与该第一半导体鳍片和该第二半导体鳍片电性绝缘，该浮动闸沿着一第二方向延伸而且完全覆盖该通道区；其中，该通道区的电传导型(conductivity type)系相反于该源极区以及该汲极区；其中，该第一方向实质上垂直于该第二方向；以及其中，该第二半导体鳍片系作为一控制闸。
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