发明名称 能因应由于热膨胀系数之差异所产生变形的定位销及半导体制造装置
摘要
申请公布号 TWI498489 申请公布日期 2015.09.01
申请号 TW099133292 申请日期 2010.09.30
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 吴仲铭
分类号 F16B19/02;H01L21/3065 主分类号 F16B19/02
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼
主权项 一种定位销,包含:第一部分,系为紧密地插入第一构件的孔洞之中空圆柱体;以及第二部分,系可滑动地插入第二构件的长圆形孔洞内之具有多数侧表面的中空多边形柱体,与该第一部分一体同轴成型,该多数侧表面包含第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面及第四侧表面,该第一侧表面平行于该第二侧表面,于该中空多边形柱体垂直于轴向的剖视图中,该第一侧表面的长度与该第二侧表面的长度均大于该第一侧表面与该第二侧表面之间的长度,该第三侧表面与第四侧表面位于该第一侧表面与该第二侧表面之间;在该第二部分滑动时,该第一侧表面及该第二侧表面系接触于该第二构件之长圆形孔洞的两平行相对的长边,以承受由于热胀冷缩造成之法线方向的偏移;并且,该第一部分的该圆柱体之侧表面上形成有第一沟槽部,即沿该圆柱体的轴向平行延伸的2处以上之沟槽,该第二部分中该第三侧表面与该第四侧表面上各自形成有第二沟槽部,即沿该中空多边形柱体之轴向平行延伸的沟槽,至少在该第一沟槽部与该第二沟槽部的其中一者之沟槽的两端部形成有贯穿孔,于该第一沟槽部的两端部形成有贯穿孔时,该贯穿孔具有的宽度大于该第一沟槽部,于该第二沟槽部的两端部形成有贯穿孔时,该贯穿孔具有的宽度大于该第二沟槽部。
地址 日本