| 主权项 |
一种层积型半导体装置，其包含：第1半导体晶片，其具有包含第1连接区域、及除上述第1连接区域以外之第1非连接区域之第1表面；第2半导体晶片，其具有包含与上述第1连接区域对向之第2连接区域、及除上述第2连接区域以外之第2非连接区域之第2表面，且层积于上述第1半导体晶片上；第1凸块连接部，其以电性连接上述第1半导体晶片与上述第2半导体晶片之方式，设置于上述第1表面之上述第1连接区域与上述第2表面之上述第2连接区域之间；止挡用突起，其局部设置于上述第1表面之上述第1非连接区域及上述第2表面之上述第2非连接区域之至少一区域上，且以非接着状态与上述第1非连接区域及上述第2非连接区域之另一区域接触；接着用突起，其局部设置于上述第1表面之上述第1非连接区域与上述第2表面之上述第2非连接区域之间，且接着于上述第1及第2非连接区域；及底部填充树脂，其填充于上述第1半导体晶片之上述第1表面与上述第2半导体晶片之上述第2表面之间之间隙。
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