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经营范围
发明名称
积体电路结构及其形成方法;INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME
摘要
一种积体电路结构,包含基材、后钝化互连结构、焊料区和模封化合物,其中后钝化互连结构位于基材上,焊料区位于后钝化互连结构之一部分上且电性连接至后钝化互连结构之部分,模封化合物成型焊料区之较低部分在其之中。模封化合物之顶部表面系等高于或低于最大直径平面,其中最大直径平面系平行于基材之主要表面,且其中焊料区之最大直径在最大直径平面中。
申请公布号
TW201533847
申请公布日期
2015.09.01
申请号
TW103145545
申请日期
2014.12.25
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人
胡毓祥 HU, YUHSIANG;陈威宇 CHEN, WEIYU;郑明达 CHENG, MINGDA;郭宏瑞 KUO, HUNGJUI;刘重希 LIU, CHUNGSHI
分类号
H01L21/768(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L21/56(2006.01)
主分类号
H01L21/768(2006.01)
代理机构
代理人
蔡坤财李世章
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW
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