发明名称 图案形成方法、蚀刻方法、电子元件的制造方法及电子元件;PATTERN FORMING METHOD, ETCHING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
摘要 一种图案形成方法,其包括:(i-1)于基板上,使用感光化射线性或感放射线性树脂组成物(1)来形成第1膜的步骤、(i-2)对第1膜进行曝光的步骤、(i-3)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的第1膜进行显影,而形成第1负型图案的步骤;(iii)至少于第1负型图案上,使用感光化射线性或感放射线性树脂组成物(2)来形成第2膜的步骤;(v)对第2膜进行曝光的步骤;以及(vi)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的第2膜进行显影,至少于第1负型图案上形成第2负型图案的步骤。; (iii) a step of forming a second film at least on the first negative pattern by using an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition (2); (v) a step of exposing the second film; and (vi) a step of at least forming the second negative pattern on the first negative pattern by using a developer containing an organic solvent to develop the exposed second film.
申请公布号 TW201533539 申请公布日期 2015.09.01
申请号 TW104104488 申请日期 2015.02.11
申请人 富士软片股份有限公司 FUJIFILM CORPORATION 发明人 上羽亮介 UEBA, RYOSUKE;井口直也 IGUCHI, NAOYA;山中司 YAMANAKA, TSUKASA;丹呉直紘 TANGO, NAOHIRO;白川三千紘 SHIRAKAWA, MICHIHIRO;加藤启太 KATO, KEITA
分类号 G03F7/038(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/30(2006.01);G03F1/20(2012.01);G03F1/22(2012.01);G03F7/40(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/038(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗郑婷文詹富闵
主权项
地址 日本 JP