发明名称 |
图案形成方法、蚀刻方法、电子元件的制造方法及电子元件;PATTERN FORMING METHOD, ETCHING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE |
摘要 |
一种图案形成方法,其包括:(i-1)于基板上,使用感光化射线性或感放射线性树脂组成物(1)来形成第1膜的步骤、(i-2)对第1膜进行曝光的步骤、(i-3)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的第1膜进行显影,而形成第1负型图案的步骤;(iii)至少于第1负型图案上,使用感光化射线性或感放射线性树脂组成物(2)来形成第2膜的步骤;(v)对第2膜进行曝光的步骤;以及(vi)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的第2膜进行显影,至少于第1负型图案上形成第2负型图案的步骤。; (iii) a step of forming a second film at least on the first negative pattern by using an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition (2); (v) a step of exposing the second film; and (vi) a step of at least forming the second negative pattern on the first negative pattern by using a developer containing an organic solvent to develop the exposed second film. |
申请公布号 |
TW201533539 |
申请公布日期 |
2015.09.01 |
申请号 |
TW104104488 |
申请日期 |
2015.02.11 |
申请人 |
富士软片股份有限公司 FUJIFILM CORPORATION |
发明人 |
上羽亮介 UEBA, RYOSUKE;井口直也 IGUCHI, NAOYA;山中司 YAMANAKA, TSUKASA;丹呉直紘 TANGO, NAOHIRO;白川三千紘 SHIRAKAWA, MICHIHIRO;加藤启太 KATO, KEITA |
分类号 |
G03F7/038(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/30(2006.01);G03F1/20(2012.01);G03F1/22(2012.01);G03F7/40(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/038(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗郑婷文詹富闵 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |