ＧａＡｓ半导体基板及其制造方法、与ＩＩＩ-Ｖ族化合物半导体装置及其制造方法;GAAS SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

本发明之GaAs半导体基板系主表面(10m)相对于(100)面(10a)具有6~16°的倾斜角，主表面(10m)中的氯原子浓度为1×10 13 cm -2 以下。又，本发明之GaAs半导体基板之制造方法包含：研磨GaAs半导体晶圆之研磨步骤、清洗经研磨的GaAs半导体晶圆之1次清洗步骤、对1次清洗后之GaAs半导体晶圆的厚度及主表面的平坦度进行检查之检查步骤、及利用除盐酸以外的酸及硷中的任一者对检查后的GaAs半导体晶圆进行清洗之2次清洗步骤。藉此，本发明提供一种即使在主表面上使至少1层的包含3种以上元素之III-V族化合物半导体层成长，亦可获得具有较高特性的III-V族化合物半导体装置之GaAs半导体基板及其制造方法。 A GaAs semiconductor substrate includes a main surface (10m) having an inclined angle of 6° to 16°