晶圆级封装整合及方法

主权项

一种半导体装置，包含；第一钝化层；形成于该第一钝化层上之晶圆级互连架构且包含，a)形成于该第一钝化层上之第一导电层，以及b)形成于该第一导电层上之第二钝化层；配置在该晶圆级互连架构上之第一半导体晶粒；沈积于该第一半导体晶粒上以及该第一半导体晶粒与该晶圆级互连架构之间之第一封胶；沈积于该第一半导体晶粒以及该第一封胶之相对于该晶圆级互连架构的表面之第二封胶；形成于该第一钝化层中的一开口中延伸至该第一导电层之凸块下金属化层(UBM)；以及形成于该凸块下金属化层上之凸块。