| 发明名称 |
蚀刻方法与蚀刻组成物;ETCHING METHOD AND ETCHING COMPOSITION |
| 摘要 |
本发明提供一种蚀刻方法。首先，提供基底。接着，进行蚀刻，以在上述基底中形成至少一开口，继而，在开口中形成辅助蚀刻层，以覆盖至少一蚀刻残留物。上述辅助蚀刻层包括载体、介质以及包覆于载体中的蚀刻成分。再来，对该辅助蚀刻层进行处理制程，上述处理制程包括对上述辅助蚀刻层施加能量或使上述辅助蚀刻层暴露于气体下，使得上述辅助蚀刻层中的载体破裂，藉此释放出上述蚀刻成分，并对上述蚀刻残留物进行蚀刻。 |
| 申请公布号 |
TW201533547 |
申请公布日期 |
2015.09.01 |
| 申请号 |
TW103106666 |
申请日期 |
2014.02.27 |
| 申请人 |
旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. |
发明人 |
杨大弘 YANG, TA HONE |
| 分类号 |
G03F7/30(2006.01);G03F7/32(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/30(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文叶璟宗 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 TW |
