Process of growth of gallium nitride crystal by HVPE method

摘要

Proces wzrostu kryształów azotku galu metodą HVPE charakteryzuje się tym, że proces dogrzewania zarodzi do warunków wzrostu jest prowadzony do temperatury 950°C z dowolną prędkością, dalsze grzanie do temperatury 1020°C jest prowadzone z prędkością nie większą niż dwa stopnie na minutę (120°C/h), następnie podgrzewa się do temperatury wzrostu z prędkością nie większą niż jeden stopień na minutę (60°C/h) i w ciągu dwudziestu minut utrzymuje się wygrzewanie zarodzi w temperaturze wzrostu.