MAGNETIC STACK DESIGN

摘要

【課題】切換用電流を低減したスピントランスファートルクＲＡＭを提供する。【解決手段】磁気積層体（メモリセル）３０は、磁化の向きを切換えることができる軟強磁性自由層３２と、磁化の向きが固定されたＳＡＦ（合成反強磁性）３重層基準層３４と、これらの間にあるバリア層３３とを有する。この積層体３０は、自由層３２から電気的に分離されるとともに基準層３４と物理的に接触する環状反強磁性ピニング層３５を含む。基準層３４は自由層３２よりも大きい。【選択図】図３