发明名称 |
PROCESSING METHOD OF SINGLE CRYSTAL CVD DIAMOND, AND OBTAINED PRODUCT |
摘要 |
【課題】単結晶CVDダイヤモンド材料にNV中心を導入する方法を開示すること。【解決手段】方法の一工程は、単置換型窒素を含むダイヤモンド材料を照射してダイヤモンド材料中に少なくとも0.05ppm、多くても1ppmの濃度で孤立空孔を導入することを含む。方法の別の工程は、照射されたダイヤモンドをアニールして、単置換型窒素欠陥及び導入された孤立空孔の少なくともいくつかからNV中心を形成することを含む。ピンクCVDダイヤモンド材料及びスピントロニクス特性を有するCVDダイヤモンド材料についても記述する。【選択図】図2 |
申请公布号 |
JP2015155377(A) |
申请公布日期 |
2015.08.27 |
申请号 |
JP20150105170 |
申请日期 |
2015.05.25 |
申请人 |
ELEMENT SIX LTD |
发明人 |
DANIEL JAMES TWITCHEN;SARAH LOUISE GEOGHEGAN;NEIL PERKINS;RIZWAN UDDIN AHMAD KHAN |
分类号 |
C30B29/04;C23C16/27;C30B33/02 |
主分类号 |
C30B29/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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