场效应管的制造方法和场效应管

摘要

本发明提供一种场效应管的制造方法和场效应管，其中，制造方法包括：在形成有外延层的硅片表面形成栅氧化层；在栅氧化层的表面形成多晶硅区，多晶硅区包括间隔设置的第一多晶硅段和第二多晶硅段，第二多晶硅段与体区对应设置，第一多晶硅段与体区之外的外延层对应设置；在第一多晶硅段、第二多晶硅段和栅氧化层的表面形成氧化层和介质层；在第一多晶硅段和源区表面形成接触孔；在介质层的表面和接触孔中形成正面金属电极，以使第一多晶硅段通过正面金属电极与源区电连接，而第二多晶硅段作为场效应管的栅极。本发明提供的场效应管的制造方法能够消除场效应管中的栅漏电容。

主权项

一种场效应管的制造方法，其特征在于，包括：在形成有外延层的硅片表面形成栅氧化层；在所述栅氧化层的表面形成多晶硅区，所述多晶硅区包括间隔设置的第一多晶硅段和第二多晶硅段；在所述第一多晶硅段、第二多晶硅段和栅氧化层的表面形成氧化层；在所述外延层中形成体区和源区，所述体区与所述第二多晶硅段对应设置，所述体区之外的外延层与所述第一多晶硅段对应设置；在所述氧化层的表面形成介质层；在所述第一多晶硅段的表面，以及源区的表面形成接触孔；在所述介质层的表面和所述接触孔中形成正面金属电极，以使所述第一多晶硅段通过所述正面金属电极与所述源区电连接，而所述第二多晶硅段作为所述场效应管的栅极。