发明名称 | 一种多硬盘系统错峰上电控制电路 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种多硬盘系统错峰上电控制电路,属于计算机电路技术领域;控制电路为由系统电源输出端,经过电压调节器连接硬盘工作电压输入端,将电压转至硬盘工作电压输出端,硬盘工作电压输出端分别连接各个硬盘电路单元;硬盘电路单元设置电容,电容放电电阻及电容充电电阻,P型MOS管开关,N型MOS管开关;其中硬盘工作电压输出端连接电容充电电阻及P型MOS管开关,P型MOS管开关连接至硬盘,N型MOS管开关一端连接至P型MOS管开关,一端与电容连接;不同组硬盘电路单元的电容与电容充电电阻值不同;本实用新型防止多个硬盘统一供电时,硬盘启动峰值电流过大造成供电电路过流保护,而使系统无法启动的情况发生。 | ||
申请公布号 | CN204595760U | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
申请号 | CN201520330897.4 | 申请日期 | 2015.05.21 |
申请人 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 发明人 | 吴安 |
分类号 | G06F1/26(2006.01)I | 主分类号 | G06F1/26(2006.01)I |
代理机构 | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人 | 姜明 |
主权项 | 一种多硬盘系统错峰上电控制电路,其特征是由系统电源输出端,经过电压调节器连接硬盘工作电压输入端,将电压转至硬盘工作电压输出端,硬盘工作电压输出端分别连接各个硬盘电路单元;硬盘电路单元设置电容,电容放电电阻及电容充电电阻,P型MOS管开关,N型MOS管开关;其中硬盘工作电压输出端连接电容充电电阻及P型MOS管开关,P型MOS管开关连接至硬盘,N型MOS管开关一端连接至P型MOS管开关,一端与电容连接;不同组硬盘电路单元的电容与电容充电电阻值不同。 | ||
地址 | 250101 山东省济南市高新区舜雅路1036号 |