发明名称 |
图形化衬底及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种图形化衬底,包括衬底和形成于所述衬底上的隔离槽,所述隔离槽将衬底表面分割成多个隔离区,所述隔离槽沿衬底材料的解理方向设置。同时,本发明还提供了该图形化衬底的制备方法。本发明提供的图形化衬底,不仅可以减小由于生长材料与衬底之间的晶格失配而造成外延片在生长过程中产生的位错和缺陷,从而提高外延片的生长质量,进而提高器件的性能和寿命;而且,还可以避免由于生长材料与衬底之间的晶格失配而造成的衬底弯曲和翘曲,提高外延生长的均匀性,进一步提高器件的性能;同时,还可以通过沿衬底材料的解理方向设置的隔离槽来减小外延片的解理难度,降低对工艺的要求。 |
申请公布号 |
CN104867965A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201410066833.8 |
申请日期 |
2014.02.26 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
何洋;董建荣;李奎龙;孙玉润 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 |
代理人 |
杨林;李友佳 |
主权项 |
一种图形化衬底,其特征在于:包括衬底和形成于所述衬底上的隔离槽(110),所述隔离槽(110)将衬底表面分割成多个隔离区(120),所述隔离槽(110)沿衬底材料的解理方向设置。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号 |