| 发明名称 | 干蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种蚀刻方法，其为使用蚀刻气体，对于含有至少一层的硅氧化膜层和至少一层的硅氮化膜层的多层层叠膜两者同时进行蚀刻的方法，含有式(1)：C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>F<sub>z</sub>(式中，x为4、y为4以上的整数、z为正整数、y+z为10)所示的链状饱和氟代烃化合物。根据本发明的蚀刻方法，即使在多层层叠膜的蚀刻中，孔也不会被堆积膜堵塞，可以得到对掩模的高的选择性和良好的图案形状。 | ||
| 申请公布号 | CN104871298A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201380068003.2 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 日本瑞翁株式会社 | 发明人 | 乾裕俊 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蔡晓菡;刘力 |
| 主权项 | 蚀刻方法，其特征在于，其是使用蚀刻气体，对于含有至少一层的硅氧化膜层和至少一层的硅氮化膜层的多层层叠膜两者同时进行蚀刻的方法，所述蚀刻气体含有式(1)：C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>F<sub>z</sub>(式中，x为4、y为4以上的整数、z为正整数、y+z为10)所示的链状饱和氟代烃化合物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||